Поступивший на базу транзистора положительный импульс открывает его, что приводит к резкому падению напряжения на его коллекторе. Происходит зарядка конденсатора С1 через Rll, , R5. Падение напряжения от тока зарядки на резисторе Rll открывает транзистор VT4, на коллекторе которого напряжение возрастает. Наступает лавинообразный процесс роста тока коллекторов обоих транзисторов до насыщения. Транзистор VT4 поддерживается в насыщенном состоянии до тех пор, пока конденсатор С1 не зарядится и не уменьшится падение напряжения на резисторе Rll. В результате транзисторы лавинообразно закрываются, конденсатор С/ разряжается через цепь R4VD7 и схема возвращается в исходное состояние. Длительность генерируемого формирователем импульса зависит от постоянной времени зарядки конденсатора С/ и определяется величиной резистора Rll.
При нахождении транзистора в насыщенном состоянии его коллекторный ток создает на резисторе R5 падение напряжения, которое поступает на базу транзистора VT! (ключа блокировки настройки), и приводит его в насыщенное состояние. Коллектор транзистора подключен к цепи настройки СК, которая замыкается на корпус через насыщенный транзистор VTI в течение длительности генерируемого формирователем импульса.
На плате М5−3 установлены шесть резисторов памяти RI, R2, ..., R6 с блокирующими диодами , , ..., VD6 и схема стабилизации напряжения настройки (о ней говорилось выше).
Резисторы памяти отдельных программ подключены к выходам соответствующих ячеек кольцевого счетчика. От включенной ячейки к резистору памяти поступает стабилизированное напряжение 27,5 В, используемое в качестве напряжения настройки СК- При предварительной настройке на выходе резистора памяти устанавливается напряжение, соответствующее настройке СК на желаемый канал.
Блокирующие диоды , , ..., VD6 предотвращают шунтирование выхода включенного резистора памяти остальными резисторами. Диод VD9 служит для термокомпенсации ухода напряжения настройки от прогрева.


Метки:, ,

Посмотрите также