На другой вход ДУ— на базу транзистора VT3 с делителя поступает постоянное напряжение. Изменение этого напряжения приводит к изменению потенциала эмиттер — база транзистора VT2 за счет изменения тока через транзистор VT3 и наличия резистора R10. В результате изменится начальное значение длительности импульсов на выходе модуля и связанный с этим размер растра. С коллекторной нагрузки транзистора VT4 через резистор R16 подается сигнал отрицательной ОС в цепь базы транзистора VT3 для улучшения линейности импульсов параболической формы, а через контакт 2 соединителя Х7 и дроссель L3 сигнал управления диодным модулятором на конденсатор Сб.
В субмодуле СМКР осуществляется стабилизация размера по горизонтали. С этой целью цепь базы транзистора VT2 соединена через резистор R15 и контакт 4 соединителя Х7 с выходом выпрямителя на диоде VD7 в модуле строчной развертки. Увеличение тока лучей кинескопа приводит к возрастанию пульсаций напряжения на выходе умножителя El и соответственно переменной составляющей на резисторе R23 МС. Эта переменная составляющая преобразовывается выпрямителем VD7, С12 в постоянное напряжение, которое изменяет потенциал базы транзистора VT2 в СМКР и тем самым влияет на длительность импульсов на входе диодного модулятора.
Питание усилителя-формирователя и ШИМ-модулятора осуществляется от источника 28 В через контакт 3 соединителя Х7 и фильтр C10R12C7. Элементы схемы VD1, R20, L1 в коллекторной цепи транзистора VT4 предназначены для уменьшения излучения помех.


Метки:, ,